IXYS
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紹介
IXYS
IXYSコーポレーションの電力半導体の生産は,パワーMOS (金属酸化-シリコン) トランジスタとパワーバイポーラーで構成されています.このシリーズの製品は,高電圧または電流を正規電源に変換します同社の統合回路の生産は,固体リレー (SSR),ラインカードアクセススイッチ (LCAS) などの通信におけるアナログ,混合信号およびデジタルインターフェースソリューションに使用されています.,LitelinkTM.RFパワー半導体は,増幅または受信のために高速で電気を変換する.さらに,IXYSはレーザーダイオードドライバ,直接銅結合 (DCB) を提供する.
新製品
| 画像 | 部分# | 記述 | メーカー | ストック | RFQ | |
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IXGN200N60A |
IGBT MOD 600V 200A 600W SOT227B
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IXGN100N170 |
IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
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IXDN75N120 |
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
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MIEB101H1200EH |
IGBT モジュール 1200V 183A 630W E3
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VKI75-06P1 |
IGBT MOD 600V 69A 208W ECO-PAC2
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MDI145-12A3 |
IGBT モジュール 1200V 160A 700W Y4M5
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MCC72-18io8B |
離散半導体モジュール 72A 1800V
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MCD44-14io8B |
離散半導体モジュール 44 アムペア 1400V
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MCD250-08io1 |
離散半導体モジュール 250A 800V
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MCC26-14io8B |
離散半導体モジュール 26Amp 1400V
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MDD44-14N1B |
離散半導体モジュール 44 アムペア 1400V
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VKM40-06P1 |
離散半導体モジュール 40A 600V
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MCD72-18io8B |
離散半導体モジュール 72A 1800V
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MCD310-16io1 |
離散半導体モジュール 310A 1600V
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ZY250 |
離散半導体モジュール 鍵付きツインプラグ
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MUBW30-12A6K |
離散半導体モジュール 30 Amps 1200V
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MDD26-18N1B |
離散半導体モジュール 26A 1800V
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MCC72-12io1B |
離散半導体モジュール STANDARD SCR 1200V, 72A
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MWI200-06A8 |
離散半導体モジュール NPT IGBT 600V, 200A
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MCC72-12io8B |
離散半導体モジュール 72Amp 1200V
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MCC250-12io1 |
離散半導体モジュール 250Amp 1200V
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IXGH17N100AU1 |
IGBT トランジスタ 17 アムペア 1000V
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IXGK82N120B3 |
IGBTトランジスタ GenX3 1200V IGBT
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IXGH40N120B2D1 |
IGBTトランジスタ IGBT,ダイオード 1200V,75A
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IXGH15N120CD1 |
IGBTトランジスタ 30Amp 1200V 3.8 Rds
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IXGX40N120BD1 |
IGBTトランジスタ 75Amp 1200V 3.3 Rds
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IXGH40N120C3D1 |
IGBTトランジスタ 75APS 1200V
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IXGH48N60A3D1 |
IGBTトランジスタ Gシリーズ A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A
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IXGX120N120B3 |
IGBTトランジスタ 15khz-40khz 電源装置
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IXGA15N120B |
IGBTトランジスタ 30Amp 1200V 3.2 Rds
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