MIEB101H1200EH
メーカー:
IXYS
記述:
IGBT モジュール 1200V 183A 630W E3
カテゴリー:
半導体
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
183A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
箱
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
E3
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.2V @ 15V,100A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
E3
Mfr:
IXYS
動作温度:
-40°C ~ 125°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
300μA
IGBTタイプ:
-
パワー - マックス:
630W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
7.43 nF @ 25V
構成:
完全な橋インバーター
NTC サーミストール:
違う
基本製品番号:
MIEB101
紹介
IGBTモジュール フルブリッジインバーター 1200 V 183 A 630 W シャーシマウントE3
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