IXDN75N120
メーカー:
IXYS
記述:
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
カテゴリー:
半導体
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
150A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
SOT-227-4 ミニブロック
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.7V @ 15V,75A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
4mA
IGBTタイプ:
NPT
パワー - マックス:
660 W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
5.5 nF @ 25V
構成:
シングル
NTC サーミストール:
違う
基本製品番号:
IXDN75
紹介
IGBT モジュール NPT シングル 1200 V 150 A 660 W シャーシマウント SOT-227B
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| 画像 | 部分# | 記述 | |
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