IXGH40N120B2D1
メーカー:
IXYS
記述:
IGBTトランジスタ IGBT,ダイオード 1200V,75A
カテゴリー:
半導体
仕様
ゲート・エミッター漏れ電流::
100 nA
製品カテゴリー::
IGBTトランジスタ
マウントスタイル::
穴を抜ける
25°Cの連続電流::
75 A
Pd -電力損失::
380W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス::
1.2 kV
パッケージ/ケース::
TO-247-3
最大動作温度::
+150C
ゲートエミッター最大電圧::
+/- 20ボルト
パッケージ::
トューブ
設定::
シングル
コレクター・エミッター 飽和電圧::
2.9 V
メーカー::
IXYS
紹介
IXYSのIXGH40N120B2D1は,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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