PEMD4115
メーカー:
Nexperia USA Inc.
カテゴリー:
半導体
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
バイポーラトランジスタ配列
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100mA
製品の状況:
新しい デザイン の ため の もの で は ない
トランジスタタイプ:
1 NPN, 1 PNP - バイアス (ダブル)
頻度 - 移行:
-
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
150mV @ 500μA, 10mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-666
抵抗 - ベース (R1):
10kオーム
Mfr:
Nexperia USA Inc.
レジスタ - エミッターベース (R2):
-
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1µA
パワー - マックス:
300mW
パッケージ/ケース:
SOT-563,SOT-666
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
200 @ 1mA 5V
基本製品番号:
PEMD4
紹介
バイアス式バイポーラトランジスタ (BJT) 1 NPN,1 PNP - バイアス式バイアス式 (ダブル) 50V 100mA 300mW 表面マウント SOT-666
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