PUMH2/DG/B3115
メーカー:
Nexperia USA Inc.
カテゴリー:
半導体
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
バイポーラトランジスタ配列
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスタタイプ:
2 NPN - バイアス (ダブル)
頻度 - 移行:
230MHz
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
150mV @ 500μA, 10mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
6つ目 TSSOP
抵抗 - ベース (R1):
47kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
レジスタ - エミッターベース (R2):
47kOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1µA
パワー - マックス:
300mW
パッケージ/ケース:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 について
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 5V
基本製品番号:
PUMH2
紹介
バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) 2 NPN - バイアス式バイアス式 (ダブル) 50V 100mA 230MHz 300mW 表面マウント 6-TSSOP
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