NHUMB11F
メーカー:
Nexperia USA Inc.
カテゴリー:
半導体
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
バイポーラトランジスタ配列
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100mA
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
2 PNP - バイアス (ダブル)
頻度 - 移行:
150MHz
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
自動車,AEC-Q101
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
100mV @ 500μA, 10mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
80V
供給者のデバイスパッケージ:
6つ目 TSSOP
抵抗 - ベース (R1):
10kオーム
Mfr:
Nexperia USA Inc.
レジスタ - エミッターベース (R2):
10kオーム
電流 - コレクターの切断値 (最大):
100nA
パワー - マックス:
350mW
パッケージ/ケース:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 について
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
50 @ 10mA 5V
基本製品番号:
NHUMB11
紹介
バイアス式バイアス式トランジスタ (BJT) 2 PNP - バイアス式バイアス式 (ダブル) 80V 100mA 150MHz 350mW 表面マウント 6-TSSOP
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| 画像 | 部分# | 記述 | |
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