VS-ETF150Y65U ヴィシャイ半導体 一般
メーカー:
Vishay大将半導体-ダイオード部
記述:
IGBT MOD 650V 142A エミパック-2B
カテゴリー:
半導体
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
142 A
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
EMIPAK-2B
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.06V @ 15V,100A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
650ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
EMIPAK-2B
Mfr:
Vishay大将半導体-ダイオード部
動作温度:
175°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
100 μA
IGBTタイプ:
堀
パワー - マックス:
417W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
6.6 nF @ 30V
構成:
3 レベル インバーター
NTC サーミストール:
違う
基本製品番号:
ETF150について
ハイライト:
VS-ETF150Y65U
,VS-ETF150Y65U ビシャイ半導体
,ビシェイ・ゼネラル・セミコンダクター
紹介
IGBT モジュール トレンチ 3 レベルインバーター 650 V 142 A 417 W シャーシマウント EMIPAK-2B
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| 画像 | 部分# | 記述 | |
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