VS-50MT060WHTAPBF
メーカー:
Vishay大将半導体-ダイオード部
記述:
IGBT モジュール 600V 114A 658W MTP
カテゴリー:
半導体
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
114A
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
12-MTP モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
3.2V @ 15V,100A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
600V
供給者のデバイスパッケージ:
MTP
Mfr:
Vishay大将半導体-ダイオード部
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
400 µA
IGBTタイプ:
-
パワー - マックス:
658W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
7.1 nF @ 30V
構成:
ハーフブリッジ
NTC サーミストール:
違う
基本製品番号:
50MT060
紹介
IGBTモジュール ハーフブリッジ 600 V 114 A 658 W シャーシマウント MTP
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