APT35GP120J
メーカー:
マイクロチップ技術
記述:
IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
カテゴリー:
半導体
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
64A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
力MOS 7®
パッケージ/ケース:
ISOTOP
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
3.9V @ 15V,35A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
ISOTOP®
Mfr:
マイクロチップ技術
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
250 μA
IGBTタイプ:
PT
パワー - マックス:
284W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
3.24 nF @ 25 V
構成:
シングル
NTC サーミストール:
違う
基本製品番号:
APT35GP120
紹介
IGBT モジュール PT シングル 1200 V 64 A 284 W シャーシマウント ISOTOP®
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