APTGT50TL601G
メーカー:
マイクロチップ技術
記述:
IGBT モジュール 600V 80A 176W SP1
カテゴリー:
半導体
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
80A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
SP1
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
1.9V @ 15V,50A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
600V
供給者のデバイスパッケージ:
SP1
Mfr:
マイクロチップ技術
動作温度:
-40°C~175°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
250 μA
IGBTタイプ:
トレンチフィールドストップ
パワー - マックス:
176 W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
3.15 nF @ 25V
構成:
3 レベル インバーター
NTC サーミストール:
違う
基本製品番号:
APTGT50
紹介
IGBTモジュール トレンチフィールドストップ 3階インバーター 600 V 80 A 176 W シャーシマウント SP1
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