JAN2N5796
メーカー:
マイクロチップ技術
記述:
NPNのトランジスター
カテゴリー:
半導体
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
双極トランジスタ配列
電流 - コレクター (Ic) (最大):
600mA
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
2 PNP (ダブル)
マウントタイプ:
穴を抜ける
頻度 - 移行:
-
パッケージ:
散装品
シリーズ:
軍事,MIL-PRF-19500/496
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
1.6V @ 50mA、500mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
60V
供給者のデバイスパッケージ:
TO-78-6
Mfr:
マイクロチップ技術
電流 - コレクターの切断値 (最大):
10μA (ICBO)
パワー - マックス:
600mW
パッケージ/ケース:
TO-78-6金属はできる
動作温度:
-65°C~175°C (TJ)
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
100 @ 150mA、10V
基本製品番号:
2N5796
紹介
双極 (BJT) トランジスタ配列 2 PNP (ダブル) 60V 600mA 600mW 穴を通って TO-78-6
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