仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
双極トランジスタ配列
電流 - コレクター (Ic) (最大):
800mA
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
4 PNP (クアッド)
マウントタイプ:
表面マウント
頻度 - 移行:
-
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
軍人,MIL-PRF-19500/559
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
1V @ 50mA、500mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
6-SMD
Mfr:
マイクロチップ技術
電流 - コレクターの切断値 (最大):
10nA (ICBO)
パワー - マックス:
1W
パッケージ/ケース:
6-SMD 鉛なし
動作温度:
-65°C | 200°C (TJ)
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
100 @ 150mA、10V
基本製品番号:
2N6989
紹介
双極 (BJT) トランジスタ配列 4 PNP (Quad) 50V 800mA 1W 表面マウント 6-SMD
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画像 | 部分# | 記述 | |
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