仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
双極RFトランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
65mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスタタイプ:
3 NPN + 2 PNP
マウントタイプ:
表面マウント
頻度 - 移行:
8GHz,5.5GHz
パッケージ:
-
シリーズ:
-
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
12V,15V
供給者のデバイスパッケージ:
16-SOIC
Mfr:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
騒音数 (dB Typ @ f):
3.5dB @ 1GHz
パワー - マックス:
150mW
利益:
-
パッケージ/ケース:
16-SOIC (0.154",3.90mm 幅)
動作温度:
150°C (TJ)
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
基本製品番号:
HFA3096
紹介
RFトランジスタ 3 NPN + 2 PNP 12V, 15V 65mA 8GHz, 5.5GHz 150mW 表面マウント 16-SOIC
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