仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
双極RFトランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
35mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスタタイプ:
NPN
マウントタイプ:
表面マウント
頻度 - 移行:
21GHz
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
3.3V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-523
Mfr:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
騒音数 (dB Typ @ f):
1. 2dB @ 2GHz
パワー - マックス:
115mW
利益:
14dB
パッケージ/ケース:
SOT-523
動作温度:
150°C (TJ)
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
60 @ 5mA 2V
紹介
RFトランジスタ NPN 3.3V 35mA 21GHz 115mW 表面マウント SOT-523
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