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元のIGBT PMICモジュールの論理IC TA8212F RoHSは証明した

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S2-10511B-Z160K IGBTモジュールの運転者回路P036RH06の正常な温度

S2-10511B-Z160K IGBTモジュールの運転者回路P036RH06の正常な温度

100Mbps IGBT力モジュールの黒のチタニウムISOW7741FDFMR 10000Vpk 5000Vrms

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中国 Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd. 認証
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中国 ゾランIGBT力モジュール元のZR39787HGCFのPB自由なP036RH06 代理店
ゾランIGBT力モジュール元のZR39787HGCFのPB自由なP036RH06

IGBT力モジュール

(12)
中国 200W IGBT力モジュール250MHz CDCDB800RSLRテキサス・インスツルメント 工場

200W IGBT力モジュール250MHz CDCDB800RSLRテキサス・インスツルメント
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IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI CDCDB800RSLR 機能 時計の緩衝、差動 付加的なRMSは小刻みに動く（タイプ） （fs） 38 出力頻度（最高） （MHz） 250 出力の数 8 出力供給電圧（v） 3.3 中心の供給電圧（v） 3.3 出力ゆがみ（ps） 50 特... 続きを読む
2022-06-02 14:57:21
中国 200W IGBTモジュールの運転者回路I2C TLA2022IRUGRテキサス・インスツルメント 工場

200W IGBTモジュールの運転者回路I2C TLA2022IRUGRテキサス・インスツルメント
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IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI TLA2022IRUGR 決断（ビット） 12 入力チャネルの数 1 サンプル率（最高） （kSPS） 3.3 インターフェイスの種類 I2C 建築 デルタ シグマ 入れられたタイプ 差動、片端接地 多重チャンネル構成 — 評価 カタログ 参照... 続きを読む
2022-06-02 15:11:43
中国 DP83848TSQ/NOPBを取付けるトランシーバーIGBT力モジュールSMD 工場

DP83848TSQ/NOPBを取付けるトランシーバーIGBT力モジュールSMD
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IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI DP83848TSQ/NOPB ECADモジュール PCB記号、足跡及び3Dモデル 需要と供給の状態 限られた 公開市場の擬似脅威 30のpct。 人気 媒体 土台 SMD （SMT） 温度較差-作動する -40°Cへの85°C 運転者/受信機... 続きを読む
2022-07-13 13:47:12
中国 非隔離されたIGBTはゲートの両極トランジスター力モジュールTCAN1042GDQ1を絶縁した 工場

非隔離されたIGBTはゲートの両極トランジスター力モジュールTCAN1042GDQ1を絶縁した
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IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI TCAN1042GDQ1 議定書 缶、缶FD チャネルの数（#） 1 供給電圧（v） 4.5から5.5 バス欠陥の電圧（v） -58から58 率に（最高）信号を送る（Mbps） 5 チタニウムの機能安全部門 機能安全可能 評価 自動車 実用温度... 続きを読む
2022-06-02 15:39:05
中国 無鉛IGBT力モジュールI2Cテキサス・インスツルメントHDC2022DEPT 工場

無鉛IGBT力モジュールI2Cテキサス・インスツルメントHDC2022DEPT
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IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI HDC2022DEPT 相対湿度の正確さ（タイプ） （%RH） ±2 温度の正確さ（タイプ） （°C） ±0.2 相対湿度の動作範囲（タイプ） （%RH） 0 - 100 供給電圧（分） 1.62 供給電圧（最高） 3.6 平均供給の流れ（タイ... 続きを読む
2022-06-02 15:43:44
中国 SPIテキサス・インスツルメント力モジュールIGBT CC1121RHBR 200kbps 工場

SPIテキサス・インスツルメント力モジュールIGBT CC1121RHBR 200kbps
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IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI CC1121RHBR ECADモジュール PCB記号、足跡及び3Dモデル 生産国 フィリピン 自由なハロゲン 迎合的 推定EOLの日付 2028年 代わりとなる部品（相互参照） CC1121RHBT; 需要と供給の状態 限られた 公開市場の擬似... 続きを読む
2022-07-13 13:47:33
中国 IGBTのチタニウム力モジュールSN74LVC1G126DSFR 74LVCの表面の台紙 工場

IGBTのチタニウム力モジュールSN74LVC1G126DSFR 74LVCの表面の台紙
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IGBT力モジュールのテキサス・インスツルメント/TIのSN74LVC1G126DSFR ECADモジュール PCB記号、足跡及び3Dモデル 需要と供給の状態 バランス 人気 高い 公開市場の擬似脅威 33のpct。 パッケージ1個あたりの量 5000 HTSUS 8542.39.0001 ECCN ... 続きを読む
2022-07-13 13:46:38
中国 IGBT力モジュールのテキサス・インスツルメントの黒いチタニウムISO1432BDWR 工場

IGBT力モジュールのテキサス・インスツルメントの黒いチタニウムISO1432BDWR
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IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI ISO1432BDWR 二重 完全 データ転送速度（最高） （Mbps） 12 分離の評価（Vrms） 5000 統合された隔離された力 いいえ 実用温度範囲（c） -40から125 フェイル・セイフ 、開いた遊んでいる、短い HBM ESD ... 続きを読む
2022-06-02 15:50:03
中国 IGBTテキサス・インスツルメントの部品5MbpsのチタニウムTCAN334GDCNR力モジュール 工場

IGBTテキサス・インスツルメントの部品5MbpsのチタニウムTCAN334GDCNR力モジュール
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IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI TCAN334GDCNR 議定書 缶、缶FD チャネルの数（#） 1 供給電圧（v） 3から3.6 バス欠陥の電圧（v） -14から14 率に（最高）信号を送る（Mbps） 5 評価 カタログ 実用温度範囲（c） -40から125 低い電力モー... 続きを読む
2022-06-02 15:15:43
中国 コンピュータのための論理IC IGBT力モジュールNVIDIA G84-600-A2 工場

コンピュータのための論理IC IGBT力モジュールNVIDIA G84-600-A2
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IGBT力モジュールNVIDIA G84-600-A2 製造業者: NVIDIA モデル: G84-600-A2 使用: コンピュータ パッケージ: BGA 米国について シンセンYingxinyuanの電子技術Co.、株式会社は2001年に確立された。シンセンで本部に置かれて、営業所は香港、北京、... 続きを読む
2022-03-31 04:48:00
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アンプICは欠ける

TDA2030アンプ回路の自動車チタニウムLMV842QMM/NOPBを取付けるSO16

穴の台紙の電力増幅器IC 145MHz 700nA THS4521IDRを通して

アンプIC CD7388CZは自動車テキサス・インスツルメントTLV7031QDCKRQ1を欠く

電力線誘導器

テキサス・インスツルメント力の集積回路IEC60439 TPS70933QDBVRQ1

TPS56428RHLTの架空送電線欠陥の表示器JYZ-FF 6 - 35kV

IEC60439電気頭上式の欠陥の表示器JYZ-FF MWSA0402S-3R3MT

IGBT力モジュール

IGBTテキサス・インスツルメントの部品5MbpsのチタニウムTCAN334GDCNR力モジュール

SPIテキサス・インスツルメント力モジュールIGBT CC1121RHBR 200kbps

非隔離されたIGBTはゲートの両極トランジスター力モジュールTCAN1042GDQ1を絶縁した

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