フィルター
フィルター
トランジスタ
| 画像 | 部分# | 記述 | メーカー | ストック | RFQ | |
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DTC143ZUAT106 |
双極トランジスタ - バイアス NPN 50V 100MA SOT-323
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ROHM 半導体
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DTA143XETL |
双極トランジスタ - バイアスの先にあるPNP 50V 100MA
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ROHM 半導体
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PDTD143ETR |
双極トランジスタ - 予備バイアス 500 mA,50 V NPN レジスタが装備されている
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Nexperia
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NSVMMUN2112LT1G |
双極トランジスタ - バイアス式SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
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一半
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DTA144EM3T5G |
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一半
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UMA10NTR |
双極トランジスタ - バイアス式PNP 50V 100MA
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ROHM 半導体
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EMH10T2R |
双極トランジスタ - バイアスの先のダブル NPN 50V 100MA
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ROHM 半導体
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SMMUN2213LT1G |
双極トランジスタ - バイアス式SS BR XSTR SPCL TR
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一半
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パンブ15115 |
双極トランジスタ - バイアス前 TRNS DOUBL RET TAPE7
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Nexperia
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SMUN5315DW1T1G |
双極トランジスタ - バイアス式SS BR XSTR DUAL 50V
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一半
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FMA3AT148 |
双極トランジスタ - バイアス式PNP 50V 100MA
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ROHM 半導体
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PDTD143EUX |
双極トランジスタ - 予備バイアス 500 mA,50 V NPN レジスタが装備されている
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Nexperia
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NSBA114TF3T5G |
双極トランジスタ - 偏向型SOT-1123 PBRTトランジスタ
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一半
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MMUN2114LT1G |
双極トランジスタ - プリバイアス 100mA 50V BRT PNP
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一半
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BCR142W H6327 |
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インフィニオン・テクノロジーズ
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RN2111MFV、L3F |
双極トランジスタ - バイアス抵抗器 内蔵トランジスタ
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トシバ
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UMH6NTR |
双極トランジスタ - バイアスの先の二重 NPN 50V 30MA
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ROHM 半導体
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DTC123JM3T5G |
両極トランジスター-前偏りのある100mA 50V明るいNPN
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一半
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RN1901 ((T5L,F,T) |
双極トランジスタ - バイアス式前世代トランス BRT NPN US6,50V,100A 100mA
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トシバ
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PDTB114EQAZ |
双極トランジスタ - バイアス前のPDTB114EQA/DFN1010D-3/REEL 7
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Nexperia
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DTA023YUBTL |
二極トランジスタ - 抵抗に組み込まれているプリバイアスのPNPデジタルトランジスタ
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ROHM 半導体
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SMUN5214DW1T1G |
双極トランジスタ - バイアス式SS BR XSTR NPN 50V
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一半
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DTC114YKAT146 |
双極トランジスタ - バイアス式DIGITL NPN 50V 70MA
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ROHM 半導体
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DTA014YEBTL |
二極トランジスタ - 抵抗に組み込まれているプリバイアスのPNPデジタルトランジスタ
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ROHM 半導体
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RN1311 ((TE85L,F) |
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トシバ
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IRF7530PBF |
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
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インフィニオン・テクノロジーズ
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STW43NM60ND |
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
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STMマイクロ電子機器
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IRF7757TRPBF |
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
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インフィニオン・テクノロジーズ
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試験対象は, |
ショットキー バリア・ダイオード
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電気富士
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IPP60R280E6XKSA1 |
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
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インフィニオン・テクノロジーズ
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IRF1404STRLPBF |
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
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IR / インフィニオン
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STF10NM60ND |
MOSFET N-CH 600V 8A から 220FP
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STMマイクロ電子機器
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IPD50R950CEBTMA1 |
MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 クールモス CE
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インフィニオン・テクノロジーズ
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IRFU5410PBF |
MOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC
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インフィニオン・テクノロジーズ
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AUIRF2804WL |
MOSFET 40V 295A 1.8mOhm 自動車用 MOSFET
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IR / インフィニオン
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IRF7815PBF |
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
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インフィニオン・テクノロジーズ
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SUD50N06-09L-E3 |
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
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ビシャイ半導体
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BS170_D26Z |
MOSFET N-Ch 強化モード フィールド効果
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フェアチャイルド半導体
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ZXMP3A16DN8TA |
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
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ディオード組み込み
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IRFR6215TR |
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
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インフィニオン・テクノロジーズ
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IPP90R800C3 |
MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO220-3 クールモス C3
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インフィニオン・テクノロジーズ
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BSS127S-7 |
MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
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ディオード組み込み
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FDP5N60NZ |
MOSFET 600V NチャネルMOSFET,ユニフェットII
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フェアチャイルド半導体
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CSD83325LT |
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
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テキサスの楽器
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PMV32UP215 |
MOSFET P-CH -20 V -4 A
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Nexperia
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IPP80N03S4L03AKSA1 |
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 オプティモス-T2
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インフィニオン・テクノロジーズ
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STF10NM60N |
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
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STMマイクロ電子機器
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DMT6009LFG-7 |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 低周波
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ディオード組み込み
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STW40N95K5 |
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
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STMマイクロ電子機器
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NTR5105PT1G |
MOSFET PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
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一半
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