MG50HF12LEC1
メーカー:
ヤンジ・テクノロジー
記述:
トランジスタ - IGBT - モジュールC1
カテゴリー:
半導体
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
50A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
3.1V @ 15V, 50A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
-
Mfr:
ヤンジ・テクノロジー
動作温度:
-40°C ~ 125°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1mA
IGBTタイプ:
NPT
パワー - マックス:
400W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
4.3 nF @ 25V
構成:
単一スイッチ
NTC サーミストール:
違う
紹介
IGBT モジュール NPT シングルスイッチ 1200 V 50 A 400 W シャーシマウント
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