仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
バイポーラトランジスタ配列
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100mA
製品の状況:
Digi-Keyで発売中止
トランジスタタイプ:
2 NPN - バイアス (ダブル) (エミッター・カップリング)
頻度 - 移行:
-
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
250mV @ 500μA, 10mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
SMini5-F3-B
抵抗 - ベース (R1):
4.7kOhms
Mfr:
パナソニック電子部品
レジスタ - エミッターベース (R2):
47kOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
500nA
パワー - マックス:
150mW
パッケージ/ケース:
6-SMD (5つの鉛)、平らな鉛
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA、10V
基本製品番号:
DMC5610
紹介
バイアス式バイアス式トランジスタ (BJT) 2 NPN - バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアスバイアス式バイア
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