RN1906,LF(CT
メーカー:
トシバ半導体および貯蔵
カテゴリー:
半導体
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
バイポーラトランジスタ配列
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100mA
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
2 NPN - バイアス (ダブル)
頻度 - 移行:
250MHz
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
US6
抵抗 - ベース (R1):
4.7kOhms
Mfr:
トシバ半導体および貯蔵
レジスタ - エミッターベース (R2):
47kOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
500nA
パワー - マックス:
200mw
パッケージ/ケース:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 について
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA 5V
基本製品番号:
RN1906
紹介
バイアス型バイポラールトランジスタ (BJT) 2 NPN - バイアス型バイアス型 (ダブル) 50V 100mA 250MHz 200mW 表面マウント US6
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| 画像 | 部分# | 記述 | |
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