仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
双極RFトランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
30mA
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
NPN
マウントタイプ:
表面マウント
頻度 - 移行:
5GHz
パッケージ:
バッグ
シリーズ:
-
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
15V
供給者のデバイスパッケージ:
3-SMD
Mfr:
NTEの電子工学、株式会社
騒音数 (dB Typ @ f):
2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
パワー - マックス:
180mW
利益:
18dB
パッケージ/ケース:
3-SMDの平らな鉛
動作温度:
-
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
25 @ 14mA, 10V
紹介
RFトランジスタ NPN 15V 30mA 5GHz 180mW 表面マウント 3SMD
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