STGW25M120DF3
メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
IGBTトランジスタ IGBT&パワーバイポーラー
カテゴリー:
半導体
仕様
ゲート・エミッター漏れ電流::
250nA
製品カテゴリー::
IGBTトランジスタ
マウントスタイル::
穴を抜ける
25°Cの連続電流::
50A
Pd -電力損失::
326W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス::
1200V
パッケージ/ケース::
TO-247-3
最大動作温度::
+ 175 C
ゲートエミッター最大電圧::
20V
パッケージ::
トューブ
設定::
シングル
コレクター・エミッター 飽和電圧::
1.85 V
メーカー::
STMマイクロ電子機器
紹介
STGW25M120DF3は,STMicroelectronicsから,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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