IRGPS66160DPBF
メーカー:
インフィニオン・テクノロジーズ
カテゴリー:
半導体
仕様
ゲート・エミッター漏れ電流::
400 nA
製品カテゴリー::
IGBTトランジスタ
マウントスタイル::
穴を抜ける
25°Cの連続電流::
240 A
Pd -電力損失::
750W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス::
600V
パッケージ/ケース::
TO-274AA-3
最大動作温度::
+ 175 C
ゲートエミッター最大電圧::
20V
パッケージ::
トューブ
設定::
シングル
コレクター・エミッター 飽和電圧::
1.65 V
メーカー::
インフィニオン・テクノロジーズ
紹介
IRGPS66160DPBFは,インフィニオン・テクノロジーズの IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品で提供されています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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