IGW60T120
メーカー:
インフィニオン・テクノロジーズ
カテゴリー:
半導体
仕様
ゲート・エミッター漏れ電流::
600 nA
製品カテゴリー::
IGBTトランジスタ
マウントスタイル::
穴を抜ける
25°Cの連続電流::
100 A
Pd -電力損失::
375 W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス::
1200V
パッケージ/ケース::
TO-247-3
最大動作温度::
+150C
ゲートエミッター最大電圧::
5.8 V
パッケージ::
トューブ
設定::
シングル
コレクター・エミッター 飽和電圧::
2.3 V
メーカー::
インフィニオン・テクノロジーズ
紹介
IGW60T120,インフィニオン・テクノロジーズから,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で, オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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