GT30J121 (Q)
メーカー:
トシバ
記述:
IGBTトランジスタ 600V/30A DIS
カテゴリー:
半導体
仕様
製品カテゴリー::
IGBTトランジスタ
マウントスタイル::
穴を抜ける
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス::
600V
パッケージ/ケース::
TO-3P
最大動作温度::
+150C
ゲートエミッター最大電圧::
+/- 20ボルト
設定::
シングル
25°Cの連続電流::
30 A
メーカー::
トシバ
紹介
ToshibaのGT30J121 (Q) は,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: