HGTG40N60A4
メーカー:
フェアチャイルド半導体
記述:
IGBTトランジスタ 600V Nチャネル IGBT SMPSシリーズ
カテゴリー:
半導体
仕様
ゲート・エミッター漏れ電流::
+/- 250 nA
製品カテゴリー::
IGBTトランジスタ
マウントスタイル::
穴を抜ける
25°Cの連続電流::
75 A
Pd -電力損失::
625W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス::
600V
パッケージ/ケース::
TO-247-3
最大動作温度::
+150C
ゲートエミッター最大電圧::
+/- 20ボルト
パッケージ::
トューブ
設定::
シングル
コレクター・エミッター 飽和電圧::
1.7V
メーカー::
フェアチャイルド半導体
紹介
HGTG40N60A4はフェアチャイルド半導体から IGBTトランジスタです 私たちが提供するものは グローバル市場で競争力のある価格で オリジナル部品と新品です商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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