NSBC113EPDXV6T1G
メーカー:
一半
記述:
双極トランジスタ - バイアス式SS SOT563 RSTR XSTR TR
カテゴリー:
半導体
仕様
トランジスタの極性::
NPN
製品カテゴリー::
双極トランジスタ - バイアス
マウントスタイル::
SMD/SMT
典型的な抵抗比::
1
Pd -電力損失::
357 mW
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス::
50V
パッケージ/ケース::
SOT-563-6
最大動作温度::
+150C
DC コレクター/ベースゲイン hfe Min::
3
パッケージ::
リール
設定::
双重
シリーズ::
NSBC113EPDXV6
典型的な入力レジスタ::
1 kOhms
ピーク DC コレクター電流::
100MA
メーカー::
一半
連続電流::
100MA
紹介
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