NTMD2C02R2G
メーカー:
一半
記述:
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
カテゴリー:
半導体
仕様
供給者のデバイスパッケージ::
8-SOIC
製品カテゴリー::
MOSFET
工場のストック::
0
最小数量::
2500
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds::
1100pF @ 10V
パッケージ/ケース::
8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
部品の状態::
時代遅れ
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
5.2A,3.4A
パッケージ::
テープ&リール (TR)
@ qty::
0
動作温度::
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ::
NおよびP-Channel
FET 特徴::
論理のレベルのゲート
源から流出電圧 (Vdss)::
20V
マウントタイプ::
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs::
20nC @ 4.5V
Rds (最大) @ Id, Vgs::
43mOhm @ 4A,4.5V
パワー - マックス::
2W
Vgs(th) (最大) @ Id::
1.2V @ 250µA
シリーズ::
-
メーカー::
一半
紹介
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