仕様
供給者のデバイスパッケージ::
U-DFN2020-6 (タイプB)
製品カテゴリー::
MOSFET
Factory Stock ::
0
最小数量::
10000
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds::
914pF @ 6V
パッケージ/ケース::
6-UDFNはパッドを露出した
部品の状態::
アクティブ
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
5.6A,3.8A
パッケージ::
テープ&リール (TR)
@ qty ::
0
動作温度::
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ::
NおよびP-Channel
FET 特徴::
論理のレベルのゲート
源から流出電圧 (Vdss)::
12V
マウントタイプ::
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs::
19.6nC @ 8V
Rds (最大) @ Id, Vgs::
29mOhm @ 5A,4.5V
パワー - マックス::
1.4W
Vgs(th) (最大) @ Id::
1V @ 250µA
シリーズ::
-
メーカー::
ディオード組み込み
紹介
DMC1229UFDB-13,ダイオード株式会社,MOSFETです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
関連製品

ZXMP3A16DN8TA
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS

BSS127S-7
MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23

DMT6009LFG-7
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson

DMP6023LSS-13
MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF

DMN61D8LVT-13
MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA

DMN1019UFDE-7
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

DMNH4015SSD-13
MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO

DMN2400UFDQ-7
MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V
画像 | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
![]() |
ZXMP3A16DN8TA |
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
|
|
![]() |
BSS127S-7 |
MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
|
|
![]() |
DMT6009LFG-7 |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
|
|
![]() |
DMP6023LSS-13 |
MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
|
|
![]() |
DMN61D8LVT-13 |
MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
|
|
![]() |
DMN1019UFDE-7 |
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
|
|
![]() |
DMNH4015SSD-13 |
MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO
|
|
![]() |
DMN2400UFDQ-7 |
MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V
|
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: