仕様
製品カテゴリー::
MOSFET
Vgs (最大):
±20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
65A (Tc)
@ qty::
0
FETタイプ::
Nチャンネル
マウントタイプ::
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs::
13nC @ 4.5V
メーカー::
インフィニオン・テクノロジーズ
最小数量::
2000
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン)::
4.5V,10V
工場のストック::
0
動作温度::
-55°C~175°C (TJ)
FET 特徴::
-
シリーズ::
HEXFET®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds::
1030pF @ 15V
供給者のデバイスパッケージ::
D-PAK
部品の状態::
アクティブ
パッケージ::
テープ&リール (TR)
Rds (最大) @ Id, Vgs::
8.4 mOhm @ 25A, 10V
電力消耗 (最大)::
65W (Tc)
パッケージ/ケース::
TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
Vgs(th) (最大) @ Id::
2.35V @ 25μA
源から流出電圧 (Vdss)::
30V
紹介
IRLR8721TRPBFは Infineon Technologiesの MOSFETです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品で提供されています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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