71V67603S133BQG8
メーカー:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
記述:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
カテゴリー:
集積回路 ic
内部在庫:
10000
仕様
カテゴリー:
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力
メモリサイズ:
9Mbit
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
165-CABGA (13x15)
メモリタイプ:
揮発性
Mfr:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
時計の周波数:
133 MHz
電圧 - 供給:
3.135V~3.465V
アクセス時間:
4.2 ns
パッケージ/ケース:
165-TBGA
記憶 の 組織:
256K X 36
動作温度:
0°C~70°C (TA)
テクノロジー:
SRAM -、SDR同期
基本製品番号:
71V67603
メモリ形式:
SRAM
紹介
SRAM - 同期,SDRメモリIC 9Mbit パラレル 133 MHz 4.2 ns 165-CABGA (13x15)
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ストック:
10000
MOQ: